Перевод: с немецкого на русский

с русского на немецкий

injection photodiode

См. также в других словарях:

  • ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • инжекционный фотодиод — Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда. [ГОСТ 21934 83] Тематики приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр. EN injection photodiode DE Injektionsphotodiode FR photodiode d …   Справочник технического переводчика

  • коэффициент усиления инжекционного фотодиода — Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме. Обозначение K [ГОСТ 21934 83] Тематики приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр. EN… …   Справочник технического переводчика

  • Инжекционный фотодиод — 16. Инжекционный фотодиод D. Injektionsphotodiode E. Injection photodiode F. Photodiode d injection Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда Источник …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • TÉLÉCOMMUNICATIONS - Transmissions optiques — Le développement des télécommunications s’est caractérisé par l’utilisation d’un domaine de fréquences de plus en plus vaste, depuis les quelques kilohertz des premières lignes téléphoniques jusqu’à la centaine de gigahertz des guides d’ondes… …   Encyclopédie Universelle

  • PIN diode — Layers of a PIN diode A PIN diode is a diode with a wide, lightly doped near intrinsic semiconductor region between a p type semiconductor and an n type semiconductor region. The p type and n type regions are typically heavily doped because they… …   Wikipedia

  • Modelocking — Mode locking is a technique in optics by which a laser can be made to produce pulses of light of extremely short duration, on the order of picoseconds (10 12s) or femtoseconds (10 15s).The basis of the technique is to induce a fixed phase… …   Wikipedia

  • telecommunications media — Introduction       equipment and systems metal wire, terrestrial and satellite radio, and optical fibre employed in the transmission of electromagnetic signals. Transmission media and the problem of signal degradation       Every… …   Universalium

  • Tunable diode laser absorption spectroscopy — (TDLAS) is a technique for measuring the concentration of certain species such as methane, water vapor and many more, in a gaseous mixture using tunable diode lasers and laser absorption spectrometry. The advantage of TDLAS over other techniques… …   Wikipedia

  • Liste elektrischer Bauelemente — Dieser Artikel listet elektrische beziehungsweise elektronische Bauelemente (auch Bauteile genannt) auf, die man für Schaltungen in der Elektrotechnik beziehungsweise Elektronik benötigt. Verschiedene elektronische Bauelemente Inhaltsverzeichnis …   Deutsch Wikipedia

  • Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser — Der vertical cavity surface emitting laser (VCSEL, [v ɪxl], dt. ‚vertikal emittierende Laserdiode‘) ist ein Halbleiterlaser, bei dem das Licht senkrecht zur Ebene des Halbleiterchips abgestrahlt wird, im Gegensatz zum herkömmlichen Kantenemitter …   Deutsch Wikipedia

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»